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产品型号 规格书 产品图片 供电电压
(V)
频率
(MHz)
工作温度范围
(°C)
封装尺寸
长 x 宽 x 高
(mm)
电流
(mA)
相位噪声
@10kHz
(dBc/Hz)
年老化率(PPM) 输出波形 频率稳定性与工作温度
TCXO2522BJ-80MHz-A-V 5 80 -40 to +85 25.4 x 22 x 11.5 40 -155 ±1 HCMOS ±1.0ppm
TCXO2522BJ-80MHz-B-V 5 80 -40 to +85 25.4 x 22 x 11.5 30 -155 ±1 Sinewave ±1.0ppm
TCXO5300BM-40MHz-A-V 3.3 40 -40 to +85 5.0 x 3.2 x 1.85 7 -150 ±1 CMOS ±0.5ppm
TCXO5300BM-26MHz-A-V 3.3 26 -40 to +85 5.0 x 3.2 x 1.85 4 / ±1 Clipped Sinewave ±0.5ppm
TCXO5300BM-16.384MHz-A-V 3.3 16.384 -40 to +85 5.0 x 3.2 x 1.85 4 / ±1 Clipped Sinewave ±0.5ppm
TCXO5300BM-32MHz-A-V 3.3 32 -40 to +85 5.0 x 3.2 x 1.85 6 / ±1 CMOS ±0.28ppm
TCXO1490CL-10MHz-A-V 3.3 10 -40 to +85 14.6 x 9. 4 x 6.0 45 -150 ±1 Sinewave ±0.28ppm
TCXO1196BE-56MHz-A-V 5 56 -40 to +85 11.4 x 9.6 x 5.0 20 / ±1 Sinewave ±2ppm
TCXO1490BM-100MHz-B-V 5 100 -40 to +85 14.3 x 9.6 x 6.5 40 -155 ±3 Sinewave ±0.5ppm
TCXO3225BM-25MHz-A-V 2.5 25 -40 to +85 3.2 x 2.5 x 0.9 1.5 -150 ±1 Clipped Sinewave ±1.0ppm
TCXO2013BE-55MHz-B 3.3 55 -40 to +85 20.7 x 13.06 x 7.5 25 / ±10ppm 10 years HCMOS ±1.0ppm
TCXO3225BM-40MHz-A 2.8 40 -40 to +85 3.2 x 2.5 x 0.9 2 / ±1 Clipped Sinewave ±0.5ppm
TCXO5300CL-10.23MHz-A 3.3 10.23 -40 to +85 5.2 x 3.4 x 2.0 12 -150 ±1 LVCMOS ±0.5ppm
TCXO7500BM-HS-25MHz-B 3.3 25 0 to +70 7 x 5 x 1.9 6 -152 ±1 CMOS ±0.05ppm