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[新闻公告]   理解 SC 切晶体较高等效串联电阻（ESR）的影响

2026-6-25     DEI Blog_06.25.26

SC 切晶体虽具备卓越的频率稳定度与老化性能，但其等效串联电阻（ESR）高于 AT 切晶体，会对振荡电路的环路增益、起振速度、设计复杂度及整机功耗带来一定挑战，同时存在杂散谐振风险与更高的制造成本。不过凭借其极低的老化率、优异的应力抗性、高 Q 值与出色相位噪声，在高精度 OCXO、5G 通信、航空航天及测试仪器等核心场景中仍不可替代，通过电路优化可有效管控 ESR 带来的不利影响。
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[新闻公告]   应力补偿在提升 SC 切晶体老化性能中的核心作用

2026-6-24     DEI Blog_06.24.26

应力补偿是 SC 切晶体相较于 AT 切实现超低老化、超高长期稳定的核心机制，可有效抵消装配镀膜、振动姿态、温度循环带来的各类应力干扰，大幅降低应力诱发的频率漂移。该特性使 SC 切晶体老化速率降低一个数量级，老化曲线线性平稳、可预判补偿，且全温域抗老化性能优异，能够减少设备校准频次、降低运维成本，是 OCXO 在 5G 通信、航空航天、精密仪器等高端场景实现长期高精度授时的关键。
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[新闻公告]   晶体表面变化对 SC 切晶体老化的影响

2026-6-23     DEI Blog_06.23.26

晶体表面氧化、杂质沉积、应力变动等物理化学变化，是石英晶体频率老化的重要诱因，但相较于 AT 切晶体，SC 切晶体凭借高 Q 值、原生应力补偿结构与低激励敏感度的特性，大幅削弱了表面变化带来的频率漂移与性能损耗，老化速率显著更低、长期频漂更平稳可控。这一特性让 SC 切晶体具备超长周期高精度稳定性，可满足通信基站、航天雷达、精密测量仪器等高端场景的长效授时需求。
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[新闻公告]   内部污染与 SC 切晶体其他老化因素的对比分析

2026-6-22     DEI Blog_06.22.26

本文系统对比了 SC 切晶体五大老化影响因素的差异，包括内部污染、机械应力、材料劣化、温度变化与电激励效应。其中内部污染短期频偏影响最明显，但可通过密封、真空悬浮与洁净工艺有效控制；机械应力与材料劣化短期影响微弱、长期持续累积，是决定 SC 切晶体极限寿命的核心因素。依托天然应力补偿、高拐点温特性与高 Q 值优势，SC 切对温度、电激励及机械扰动抗性极强，整体老化性能显著优于 AT 切晶体，为高端 OCXO 长期稳定工作提供坚实保障。
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DEI Blog_06.06.25 DEI Blog_03.15.24 DEI Blog_12.01.25 DEI Blog_04.07.24 表贴晶振 DEI Blog_05.18.26 DEI Blog_07.03.24 DEI Blog_11.17.25 DEI Blog_07.01.25 高稳定性、精准时序、Stratum 3 、温补晶振、TCXO DEI Blog_07.31.24 DEI Blog_10.18.23 DEI Blog_05.09.26 DEI Blog_09.10.25 DEI Blog_12.13.24 DEI Blog_12.17.24 DEI Blog_07.15.24 DEI Blog_08.23.24 DEI Blog_06.19.25 TCXO, 温补晶振小尺寸、低成本、温补晶振、TCXO3225BM-40MHz-A DEI Blog_12.22.23 DEI Blog_05.07.26 DEI Blog_01.30.26 DEI Blog_05.22.25 低功耗、快速预热、低老化、低相位噪声、恒温晶振 DEI Blog_01.05.24 DEI Blog_10.04.24 DEI Blog_08.27.24 DEI Blog_11.19.24 DEI Blog_12.11.25 DEI Blog_09.04.25