新闻公告_恒温晶振|温补晶振|晶体振荡器|滤波器|时钟模块|OCXO|TCXO|Crystal oscillator|Crystal filter|timing module

[新闻公告]   最小化 SC 切晶体上电时间的最佳电压范围

2026-7-9     DEI Blog_07.09.26

供电电压是调控 SC 切晶振上电速度与工作性能的关键参数，OCXO 常规工作电压区间为 3.3V–12V，5V–12V为兼顾预热速度与能效的最优范围。电压越高恒温升温越快、上电收敛越迅速，但过高电压易造成温度不均、器件过载并增加功耗，需结合场景做好速度与能效的权衡。配合低纹波稳压供电，并严格遵循厂商规格限值，可在保障电路安全与长期频率稳定的前提下，最大化缩短 SC 切晶体上电稳定时间。
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[新闻公告]   新产品发布：SAW声表滤波器 - 声表滤波器SF3030AO-1457MHz-A

2026-7-9     SAW、声表滤波器

F3030AO-1457MHz-A 是一款 3×3×1.4mm 小型贴片式 SAW 声表滤波器，中心频率 1457MHz，具备 2.7dB 低插入损耗、通带超低幅度波动与最高 49dB 优异带外抑制性能，可有效减少信号衰减、隔离频段干扰、保障信号传输质量。凭借紧凑封装与优异射频滤波表现，可广泛适配物联网设备、4G/LTE 通信、无线基站及雷达系统等无线射频应用场景。
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[新闻公告]   电源电压对 SC 切晶体上电启动时间的影响

2026-7-8     DEI Blog_07.08.26

电源电压直接影响 SC 切晶体的预热速度、振荡建立效率与热响应表现，电压越高，恒温槽加热越快、环路增益越充足，上电启动时间越短。电压过高易引发温度过冲，波动则会拖慢频率收敛，同时需在启动速度与功耗间做好平衡。SC 切晶体对电压波动敏感度极低，配合稳压供电与合理电路设计，可实现快速稳定启动，满足高精度授时系统的严苛要求。
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[新闻公告]   影响 SC 切晶体上电启动时间的关键因素

2026-7-7     DEI Blog_07.07.26

SC 切晶体的上电启动速度受热学结构、温控系统、晶体物性、ESR 参数、振荡电路与外部环境多重条件共同制约。热质量、加热效率、拐点温度匹配度决定预热快慢，更高 ESR 会增加起振难度，环路增益、驱动电平与供电稳定性直接影响振荡建立效率。依托应力补偿特性，SC 切整体启动稳定表现优于 AT 切，通过优化热结构、温控算法与电路设计，可进一步缩短启动时长，满足高端授时设备快速就绪的工作需求。
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DEI Blog_11.24.23 DEI Blog_03.03.26 DEI Blog_01.20.25 DEI Blog_01.16.24 DEI Blog_10.10.25 DEI Blog_03.20.24 DEI Blog_12.20.24 DEI Blog_08.01.24 正弦波 DEI Blog_01.15.26 DEI Blog_01.03.25 宽温高稳定、超低加速度灵敏度、极致低相噪温补晶振、TCXO3627CR-ULG-20MHz-A-V DEI Blog_04.25.24 低重力加速度 DEI Blog_06.11.24 DEI Blog_02.03.26 DEI Blog_02.23.24 低相位噪声、高频率、TCXO 高频率 DEI Blog_12.15.25 DEI Blog_12.16.25 DEI Blog_12.01.25 DOCXO3627BM-10MHz-211、高稳定性、低老化、低相位噪声、双恒温晶振 DEI Blog_09.07.23 DEI Blog_12.09.24 DEI Blog_07.03.26 DEI Blog_04.24.25 贴片式、削峰正弦波、温补晶振、VCTCXO DEI Blog_04.17.26 DEI Blog_03.04.24 DEI Blog_04.01.25 DEI Blog_09.04.25